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芯茂半导体-GaN氮化镓靶材 ?纯度?密度
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芯茂半导体-GaN氮化镓靶材 ?纯度?密度

产品标签  | 高定向 薄膜溅射 LED照明 氮化镓靶材

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芯茂半导体-GaN氮化镓靶材 ?纯度?密度

高定向的薄膜可以通过溅射形成。?纯度、?密度的GaN靶材，能够通过溅射形成?度定向的薄膜。可以安装在传统的溅射设备上。

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    • 地   址：
      浙江 嘉兴 嘉善县 罗星街道科创中心9号楼
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    产品特性：薄膜特性服务内容：LED照明、充电器、通信设备服务对象：LED、电源设备、无线电频
    金属纯度：5N氧气含有量：＜0.1强度：＞50
    相对密度：＞70售后：保障等级：合格
    优点：高定向

    芯茂半导体-GaN氮化镓靶材 ?纯度?密度详细介绍




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